三星S10似乎并未配备LPDDR5内存和UFS 3.0闪存，不过折叠屏Galaxy Fold则内建了512GB UFS 3.0闪存。

事实上，LPDDR5由于刚刚公布正式规范，按计划2020年才会登陆消费级产品。而UFS 3.0闪存则提前不少，但可能因为成本和支持的SoC（仅骁龙855、三星Exynos 9820等）较少的缘故，大规模的普及还需要酝酿。

MWC 2019期间，Western Digital（西部数据）发布了iNAND MC EU511闪存芯片，采用96层3D NAND，符合UFS 3.0规范。

性能方面，基于SmartSLC Generation 6，顺序写入速度高达750MB/s。

西数发布iNAND EU511闪存芯片：UFS 3.0、写入达750MB/s

容量方面，单芯片64GB起步，最大512GB。


此前，iNAND产品归属与SanDisk（闪迪），可以看出被西数收购后，后者要进一步强化统一化的品牌管理，机械硬盘领域的HGST（昱科）也是一样道理。

当然，UFS 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9GB/s。
技嘉此前已经连续发布了SATA、M.2规格的SSD固态硬盘产品，而最新的旗舰级NVMe SSD也正在路上，散热、灯效尤为不一样。

技嘉NVMe SSD首上可控可同步RGB灯效：双面散热50℃

据技嘉介绍，这款新品PCIe NVMe SSD采用了双面散热设计，大幅提升散热性能，可以让SSD长时间运行时的温度也保持在50℃左右，大大低于一般产品的80℃高温，有利于延长使用寿命、保证数据可靠性。

技嘉NVMe SSD首上可控可同步RGB灯效：双面散热50℃

另外，它还是世界第一款支持可控、可同步RGB灯效的NVMe SSD，顶部和尾部加装了RGB灯带，并支持RGB Fusion 2.0，可与其他设备联动。

技嘉NVMe SSD首上可控可同步RGB灯效：双面散热50℃

当然性能肯定也是顶级的，即便是还处于开发阶段也非常惊艳。现场实测，CrystalDiskMark跑出了持续读取3.35GB/s、持续写入3.01GB/s的好成绩，AS SSD Benchmark也跑出了2.95GB/s、2.87GB/s，总成绩6619分。